對比 PC 時代技術更新?lián)Q代速度，移動設備的技術發(fā)展可以說非?？?，基本上是以三個月為一個周期，三個月內(nèi)就某一領域就會有更新的技術代替原有的技術標準。在 2015 年我們又看到了許多此前沒有見過或者是很少普及的新技術標準，而這些技術標準很有可能將會在接下來的半年時間里被各大手機廠商所采用。

USB Type-C（全新數(shù)據(jù)傳輸端口）

　　首當其沖的是便是 USB Type-C，全新的數(shù)據(jù)傳輸端口，這項技術標準在 2013 年 12 月 USB 3.0 推廣團隊一次公布，而首個采用這個標準的是諾基亞。USB Type-C 首次出現(xiàn)在 Android 設備上是諾基亞的平板電腦 Nokia N1 。而在今年的 3 月蘋果新品發(fā)布會上，全新 MacBook 重新定義了連接性標準，將電源接口、USB 接口、DP 接口、HDMI 接口與 VGA 接口統(tǒng)一用 USB-C 來承載，更說明 USB Type-C 將會是未來的電子產(chǎn)品的通用標準。

　　今年的 6 月谷歌也宣布 Android M 將全面擁抱 USB Type-C 端口。下一代的 Nexus 設備也將會使用全新的 USB Type-C 端口。

    USB Type-C 的優(yōu)點在于更加纖薄的設計、更快的傳輸速度（高10Gbps）以及更強悍的電力傳輸（高100W）。Type-C 雙面可插接口大的特點是支持 USB 接口雙面插入，正式解決了“USB 永遠插不準”的世界性難題。

按壓式指紋識別技術

　　蘋果總是有引領潮流的能力，2013 年 Touch ID 誕生，也意味著帶指紋識別模塊的手機將會成為未來手機市場的主流。雖然 Touch ID 是指紋識別體驗空前的好，識別速度和成功率都有很好的保證，隨著 iPhone 6 的發(fā)布，Touch ID +NFC 的 Apple Pay 支付方案誕生，于此同時支付寶也已經(jīng)支持 Touch ID 的指紋識別支付，Touch ID 作用必將迎來大爆發(fā)。

　　而由蘋果引領的指紋識別風暴已經(jīng)席卷 Android 陣營，目前三星的 Galaxy S6、Galaxy S6 Edge 還有內(nèi)的魅族以及華為都已經(jīng)在自己的旗艦機型上使用了按壓式的指紋識別模塊，加上 Android Pay 以及三星自己支付方式 Samsung Pay 在三季度將會正式上線，屆時將會有更多的機型配備指紋識別模塊。而且不僅僅是旗艦機型，千元機級別的手機也有可能大規(guī)模的普及指紋識別功能。

　　目前指紋識別模塊售價 5 美元，30 元左右，下半年下降到 4 美元，24 人民幣左右。目前首款產(chǎn)指紋識別手機大神 Note3 已經(jīng)發(fā)布，售價為 899 元。

UFS 2.0 存儲技術

　　在此前的測試中我們已經(jīng)見識過 UFS 2.0 存儲技術的厲害，使用了 UFS 2.0 存儲技術的三星 Galaxy S6 以及 Galaxy S6 Edge 的存儲性能在各項測試中都完勝其他測試對手。UFS 存儲技術堪稱是當今高端移動設備佳的內(nèi)存存儲解決方案，UFS內(nèi)存采用“命令隊列（Command Queue）”技術，該技術常用于固態(tài)硬盤（SSD）中，通過串行接口加快命令執(zhí)行速度，與采用 8 位并行接口的eMMC標準相比，數(shù)據(jù)處理速度得到大幅提高。因此，三星此次推出存儲讀取速度達到 19000 IOPS,是高端智能手機中常用的 eMMC 5.0 嵌入式內(nèi)存（7000 IOPS）的 2.7 倍，普通高速內(nèi)存卡（1500 IOPS）的 12 倍，其超快的處理速度將大大提升系統(tǒng)性能。此外，新產(chǎn)品的連續(xù)讀寫性能也提升到了 SSD 水平，而功耗則降低了 50%。

　　在傳輸性能上， UFS 2.0 有兩個版本， HS-G2 的理論帶寬就有 5.8Gbps ，也就是超過了 740MB/s ， HS-G3 更是翻了一番，達到了 11.6Gbps ，接近了 1.5GB/s 。UFS 2.0 支持 High-Speed Gear 3 高速接口和雙數(shù)據(jù)通道，使 UFS2.0 在傳輸性能上實現(xiàn)了突破性的飛躍。

　　而且慢慢會發(fā)現(xiàn)，UFS 2.0 閃存標準將不再是 Galaxy S6/S6 Edge 獨享的技術，SK 海力士宣布推出自主研發(fā)的 UFS 2.0 閃存標準方案，容量有 16GB 、 32GB 、 64GB 、 128GB 等多種選擇，它是基于自家 16nm NAND Flash 和自主研發(fā)的固件和控制芯片。根據(jù)外專家預計，UFS 2.0 在移動設備中尤其是在智能型手機上，首先將先征服高端市場，目前三星 Galaxy S6 / S6 Edge 就已經(jīng)采用了 UFS 2.0 ，未來再逐漸向中低端市場擴張。而快下半年其他品牌的旗艦則有可能使用上 UFS 2.0 技術。

LPDDR4

　　三星領先的不僅有存儲技術和處理器工藝，內(nèi)存也是三星的強項。Galaxy S6 用上的 LPDDR4 內(nèi)存在未來也會成為其中智能手機的標配。此前 LG 的 G Flex 2 也已經(jīng)用上了 DDR4 內(nèi)存。海力士方面獲得證實，G Flex 2 的確采用了新的 LPDDR4 RAM。

　　新的 LPDDR4 內(nèi)存芯片相比上一代 LPDDR3 產(chǎn)品，擁有更小的電壓和更高的電源效率特點。電壓從 1.2V 降至低于 1.1V，功耗可降低超過 30%，同時傳輸效率從 1600Mbps 提升到了 3200Mbps，提升將近兩倍。得益于更高的吞吐量，更有利于手機更多先進功能的設計，比如提供超高分辨率顯示環(huán)境。

　　實際上，兩大儲存廠商海力士和三星都表示，他們已經(jīng)加強了與相關企業(yè)的合作，今年不僅主流的智能手機制造商，而且還包括中的產(chǎn)廠商，很快都將采用 LPDDR4 作為產(chǎn)品升級的解決方案。根據(jù) HIS 分析機構的預計，明年采用 3GB RAM 的高端智能手機比例將占總份額的 36% 以上。